12月12日，應(yīng)輕工科學(xué)與工程學(xué)院（柔性電子學(xué)院）邀請，中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所曹偉偉副研究員做客我校“未央導(dǎo)師論壇”，作了題為“氧化稼薄膜生長與光電性能研究”的學(xué)術(shù)報告，報告由輕工學(xué)院袁索超教授主持，輕工學(xué)院相關(guān)教師、研究生參與了本次報告會。
曹偉偉副研究員首先介紹了中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所的基本情況，以及所在研究室的人才介紹與研究方向和研究成果。團隊人員全面研究了熱退火對 Ga2O3薄膜的結(jié)構(gòu)、表面形貌、缺陷狀態(tài)和光學(xué)性能的影響。建立了退火氣氛、缺陷狀態(tài)與 Ga2O3薄膜光學(xué)特性之間的相關(guān)性，通過精確控制生長條件，成功制備出高質(zhì)量的氧化稼薄膜，實現(xiàn)了對薄膜厚度、結(jié)晶度和表面平整度等參數(shù)的精準(zhǔn)調(diào)控。團隊人員基于該薄膜制備了Ga2O3 MSM太陽盲紫外線探測器，該器件具有高達 800 A/W 的高響應(yīng)率和 6×1014 瓊斯的探測率，光暗電流比大于 103，外部量子效率超過 103，具有顯著增益。相關(guān)研究為其在航天航空以及深空探測方面的應(yīng)用提供了廣闊的前景，同時該研究成果對于非視域光通信、導(dǎo)彈跟蹤以及火災(zāi)預(yù)警等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)高靈敏探測具有重要意義，有望推動新一代高效低成本紫外日盲光電器件的研發(fā)與應(yīng)用，為我國光電產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力，也標(biāo)志著西安光機所在氧化稼薄膜研究領(lǐng)域達到了新的高度，持續(xù)為我國光學(xué)材料與器件技術(shù)的發(fā)展貢獻力量。
會后，曹偉偉針對師生所提出的問題進行了認(rèn)真細(xì)致的解答，為光電探測和光通信相關(guān)方面的研究與未來發(fā)展趨勢進行了建議與指導(dǎo)，使參會師生深受啟發(fā)。
新聞小貼士：
曹偉偉，副研究員，中國科學(xué)院西安光學(xué)精密機械研究所空間科學(xué)微光探測技術(shù)研究室副主任，瞬態(tài)光學(xué)與光子技術(shù)國家重點實驗室光電探測器骨干成員，中國科學(xué)院超快診斷重點實驗室空間微光核心探測器技術(shù)攻關(guān)組組長。長期從事電真空、半導(dǎo)體光電探測器材料與器件工藝技術(shù)研究和空間科學(xué)探測應(yīng)用。熟悉InGaAs、Ga2O3等材料與器件體系，掌握單光子成像探測器、電真空與半導(dǎo)體技術(shù)結(jié)合的光電混合探測（HPD）等光電探測器件的開發(fā)。所研制的紫外單光子陽極探測器搭載電離層成像探測儀在軌穩(wěn)定運行4年，負(fù)責(zé)的一體化IsCMOS相機支撐高能宇宙輻射探測設(shè)施（HERD）完成國際聯(lián)合評審。
（核稿：劉國棟 編輯：劉倩）
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