報告題目：金剛石半導體的發(fā)展與應用

報 告 人：王宏興 教授

報告時間：2014日11月14日（星期五）下午2:30

報告地點：理學院學術報告廳（實訓樓B-522）

參加人員：理學院研究生及教師，歡迎其他學院師生參加！

有關要求：參加人員提前10分鐘到場，并關閉手機或設置為靜音狀態(tài)。

研究生院 理學院

2014年11月11日

報告人簡介：

王宏興，西安交通大學教授、博士生導師，寬禁帶半導體材料與器件研究中心主任。2001年獲日本德島大學大學院物質(zhì)工學專攻博士學位；1999年至2003年任日本Nitride Semiconductors Co. Ltd 公司研究員；2003至2004年任日本科學技術振興機構(gòu)高級研究員；2004年至2008年任日本Dialight Japan Co. Ltd公司高級研究員、執(zhí)行董事；2008年至2012年在日本Seki Technotron Corp. 金剛石CVD裝置部工藝開發(fā)負責人；2008至今任日本高知Kochi FEL Co. Ltd公司技術顧問；2009至今任日本Napra Corp.公司首席顧問。

在日本期間作為高級研究員，團隊負責人，技術顧問先后參加和主持了日本通產(chǎn)省，日本學術振興機構(gòu)以及日本有關大型公司的重大科研項目和產(chǎn)學研結(jié)合項目。回國后主持科技部“863計劃”等重大項目。在III-V族半導體薄膜外延生長及發(fā)光器件，大面積金剛石襯底及高質(zhì)量金剛石薄膜外延生長，碳納米場致發(fā)射陰極、場致發(fā)射光源及其他場致發(fā)射電子器件，MOCVD設計開發(fā)、 特殊直流CVD設計開發(fā)、微波等離子體CVD的設計開發(fā)等領域做出了許多創(chuàng)新性工作。發(fā)表文章50余篇，申請日本、美國專利80余項。曾獲得電子工業(yè)部科技進步二等獎，國家科技進步三等獎。